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掃描電鏡背散射電子成像

 發(fā)布時間:2019/1/3 點擊量:2388
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詳細介紹:

背散射電子(BSE)是由彈性散射產生的。當主電子束中的電子接近樣品中的原子核時,受到原子核中正電荷的作用力,它們的運動軌跡發(fā)生了偏離。背散射電子的產率取決于原子核的大小。BSE圖像對比度反應了樣品表面的成分襯度。在這篇博客中,會介紹背散射電子系數(shù),并解釋它是如何受到樣品傾斜度和入射電子束能量的影響。

 

背散射系數(shù)

 

背散射電子是由入射電子束中入射電子的彈性散射產生的,其能量大于50eV,在飛納電鏡之前的一篇博客中解釋過。背散射電子數(shù)量產生取決于許多因素,包括樣品中材料的原子序數(shù)和電子束的加速度電壓。

 

電子束與樣品相互作用產生的背散射電子的數(shù)量被稱為背散射系數(shù) η,定義為背散射電流(IBSE)和探針電流(IP)的比值:

 

 

其中 EB 是背散射電子的排出能量。背散射系數(shù)受加速電壓、原子序數(shù) Z 以及樣品表面與入射電子束的夾角的影響。

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